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usdt不用实名(www.caibao.it):台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破:直奔1nm

admin2021-02-2063

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原题目:台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破:直奔1nm

在ISSCC 2021国际固态电路 *** 上,台积电联席CEO刘德音宣布了该公司的最新工艺希望情形,指出3nm工艺跨越预期,进度将会提前。

不外刘德音没有宣布3nm工艺到底若何超前的,根据他们宣布的信息,3nm工艺是今年下半年试产,2022年正式量产。

与三星在3nm节点激进选择GAA围绕栅极晶体管工艺差别,台积电的第一代3nm工艺对照守旧,依然使用FinFET晶体管。

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与5nm工艺相比,

不论是5nm照样3nm工艺,甚至未来的2nm工艺,台积电示意EUV光刻机的重要性越来越高,然则产能依然是EUV光刻的难题,而且能耗也很高。

刘德音提到,台积电已经EUV光源手艺获得突破,功率可达350W,不仅能支持5nm工艺,甚至未来可以用于1nm工艺。

根据台积电提出的路线图,他们以为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律,2年升级一代新工艺,而10年则会有一次大的手艺升级。

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